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改性塑料試驗(yàn)設(shè)備

電壓擊穿試驗(yàn)儀耐電弧測(cè)試儀絕緣電阻試驗(yàn)儀電弱點(diǎn)試驗(yàn)儀電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng) 高壓、低壓漏電起痕試驗(yàn)儀 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀

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HCRD-300計(jì)算機(jī)控制儀器——電弱點(diǎn)測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-12-16

型號(hào)：HCRD-300

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計(jì)算機(jī)控制儀器——電弱點(diǎn)測(cè)試儀，通過(guò)人機(jī)對(duì)話(huà)方式，本產(chǎn)品是根據(jù)IEC 60674-2:2009 電氣用塑料薄膜第2部分：試驗(yàn)方法及其第1次修正（2001）和 GB/T13542-92《電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》而設(shè)計(jì)的高壓試驗(yàn)裝置。主要用于電容器用聚脂薄膜、聚丙稀薄膜的電弱點(diǎn)測(cè)試。
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HCWP-1000介電溫譜測(cè)試儀高溫爐膛阻抗分析儀測(cè)試夾具

更新時(shí)間：2024-12-08

型號(hào)：HCWP-1000

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介電溫譜測(cè)試儀高溫爐膛阻抗分析儀測(cè)試夾具，為了滿(mǎn)足材料在高溫環(huán)境下的介電測(cè)量需求而設(shè)計(jì)的。從專(zhuān)業(yè)角度來(lái)說(shuō)，其實(shí)就是高溫介電溫譜測(cè)量系統(tǒng)。主要用于絕緣材料在不同溫度不同頻率下的電學(xué)測(cè)試，系統(tǒng)包含高溫爐膛，阻抗分析儀，微電流表，夾具，測(cè)試軟件于一體.
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HCWP-1000高溫介電溫譜儀/絕緣電阻

更新時(shí)間：2024-08-01

型號(hào)：HCWP-1000

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本高溫介電溫譜儀/絕緣電阻主要用于絕緣材料在不同溫度不同頻率下的電學(xué)測(cè)試，系統(tǒng)包含高溫爐膛，阻抗分析儀，微電流表，夾具，測(cè)試軟件于一體，可測(cè)試材料的介電常數(shù)，介質(zhì)損耗，阻抗譜Co-Co圖，機(jī)電耦合系數(shù)等，同時(shí)可分析被測(cè)樣品隨溫度，頻率，時(shí)間變化的曲線(xiàn)，測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu)。
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HCDH-3華測(cè)一體式耐電弧試驗(yàn)儀

更新時(shí)間：2025-01-02

型號(hào)：HCDH-3

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華測(cè)一體式耐電弧試驗(yàn)儀是專(zhuān)門(mén)為電氣絕緣材料測(cè)試而開(kāi)發(fā)的高精密設(shè)備，適于用于電氣絕緣材料、塑料、薄膜、樹(shù)脂、云母、陶瓷、玻璃、絕緣漆等介質(zhì)在工頻電壓或直流電壓下?lián)舸?qiáng)度和耐電壓時(shí)間的測(cè)試。也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)研究等用途。根據(jù)GB 1411-78《固體電工絕緣材料高壓小電流間歇耐電弧試驗(yàn)方法》IEC 61621及ASTM D495設(shè)計(jì)、制造的
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HCDH-4硅橡膠耐電弧試驗(yàn)儀*

更新時(shí)間：2025-01-02

型號(hào)：HCDH-4

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硅橡膠耐電弧試驗(yàn)儀*是根據(jù) GB/T 1411-2002《固體絕緣材料耐高壓低電流電弧放電的試驗(yàn)》（等同 IEC 61621-1997）及 ASTM D495 等標(biāo)準(zhǔn)的要求設(shè)計(jì)制造的，并符合 IEC 149、UL 746A 等試驗(yàn)方法。本儀器由絕緣標(biāo)準(zhǔn)制定單位全國(guó)絕緣材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)監(jiān)制。主要用于電機(jī)、電器及家電等行業(yè)的電工用塑料、樹(shù)脂膠、絕緣漆
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HCDH-4硅橡膠耐電弧試驗(yàn)測(cè)試儀器

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型號(hào)：HCDH-4

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HCDH-4北京華測(cè)耐電弧試驗(yàn)儀

更新時(shí)間：2025-01-02

型號(hào)：HCDH-4

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HCDH-4北京華測(cè)耐電弧試驗(yàn)儀是專(zhuān)門(mén)為電氣絕緣材料測(cè)試而開(kāi)發(fā)的高精密設(shè)備，適于用于電氣絕緣材料、塑料、薄膜、樹(shù)脂、云母、陶瓷、玻璃、絕緣漆等介質(zhì)在高電壓小電流條件下的測(cè)試。也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)研究等用途。
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HCDH -4耐電弧試驗(yàn)儀

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型號(hào)：HCDH -4

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